第二十章 过程
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第二十章过程
当张亿诚和迪尔博士在紧张的进行样品的每一个实验步骤的研究时，IBM公司的通用系统实验室主任比尔.洛沃也在紧张的进行着自己的工作。
会议结束后，比尔.洛沃找到了正准备离开的董事长兼执行官的弗兰克.卡里。他要立即为“象棋行动”物色小组成员。“卡里先生，我想我接任这个工作有些事情我们需要谈谈，你有时间吗？”
弗兰克看了看表，说道“我下面还有很重要的工作，如果你需要的时间不是很长的话，我想我可以。”然后弗兰克又补充了一句“最多20分钟。”
“好吧，先生，你作为公司的董事长刚才在会上你也说过，对于公司的一些糟糕的令人想起来不是那么愉快的作风感到不可容忍，所以我们象棋行动计划我想我需要你在人事以及其他方面的一些特别的支持。”针对于目前的公司状况，比尔.洛沃也感到有些无奈。虽然自己是通用系统部的主任，但是很多事情不是自己可以解决的了的。
“说说看，我会尽量给予你我职权范围之内的你需要的帮助。”弗兰克对洛沃的观点给予了肯定。
“你知道的，这次行动你给我的时间实在太仓促了，但是你我都知道必须抓住这次难得的管理委员会同意的机会，所以我想我对于即将成立的行动小组成员必须进行精挑细选，这样我才可以在下个月的这个时候拿出让大家认可的样品。”说道这里洛沃看了看弗兰克的表情，弗兰克点了点头，示意洛沃继续往下说。
“我想把以前开发DATAMASTER微型机的一部分成员加入进来，还有业务部的几位。”接着又继续向弗兰克解释到“我挑选的这些人都40来岁，年富力强，有开发微型机失败的教训和使用微型机的经验，并且私下里都有为IBM公司开发新一代产品的雄心壮志，他们一共包括18名工程师和5名优秀的市场行销人员。”接着把一份名单递给了弗兰克，弗兰克仔细的看了看，低着头说道“为什么还需要市场行销人员？”洛沃很明显对此准备充足“要开发一款成功的产品，我必须足够了解消费者的心里，我需要他们对市场的各种流行的微型机产品进行调查、分析然后反馈给我结论。”
“好吧，你说服了我，这些人事的调动稍后我就会喊我的秘书亲自安排，保证你挑选的小组成员明天就会向你报道，那么你还有其他的事吗？”弗兰克以为这样就结束了，所以礼貌的问了一句。
“是的，先生我还有一点请求，你也知道的对于公司的一些糟糕的令人想起来不是那么愉快的工作作风，所以我想为了摆脱这种官僚体质的制约和限制，我和我的小组成员需要一个安静的没人打扰和掣肘的地方去开始我们的开发。”说完洛沃用一种期盼的目光看着弗兰克。
“你的想法是对的，这一条我也答应你，你觉的公司的那个研究中心适合你的要求？”
“佛罗里达州的博卡拉顿工业区的IBM研究中心如何？”
就这样象棋行动小组的工作地点从亚特兰大转移到了佛罗里达，项目悄悄的进行着。
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完全的连接好后，博士启动了电源，又在涂光刻胶机旁的电路控制板上把电机的转速调到了2千转每分钟，然后重复这一试验过程每次往上增加50转，博士把每次转速不同产生的覆光刻胶晶圆都做了转速标记。等完成涂光刻胶的步骤后又全都放进自动温控烘箱进行直板90摄氏度的软烘干，直到博士确认光刻胶的溶剂全完蒸发掉，并把不同转速产生的晶圆需要的烘干时间和温度做了细致的记录。“这才是真正的做研究的态度啊”张亿诚有些感慨，见多了前世中的时候国内专家教授所谓的研究其实就是根据国外的一些研究数据进行的一些臆想，把别人的数据进行一些删减修改后就变成自己的研究成果发表出去，这就是学术造假。
“下面我们要进行曝光了，布鲁斯你要仔细的看，这个时候的曝光就是将我们制作的掩模覆盖在涂有光刻胶的晶圆上，你了解照相机的工作原理吗？光刻掩模相当于照相的底片，一定波长的光线通过这个底片，使光刻胶获得与掩模图形同样的感光图形。当然这个时候的我们可以使用的光源可以是可见光、紫外线、X射线和电子束。而光量，时间则取决于我们的光刻胶的型号，形成的图层的厚度和我们需要的成像深度；这里我们取用紫外线。”博士耐心的像张亿诚作着说明。
“曝光我们分3种方法，接触式曝光和接近式曝光和投影式曝光，早起我们在德州仪器的时候基本使用的都是接触式曝光方法，他具有很高的分辨率，但是缺点也很明显容易造成掩模版和光刻胶膜的损伤。”博士边说还边用他前面的机器做操作示范，由于室内全是黄色的灯，所以张亿诚也看不清这台机器究竟什么颜色，人头低下去的地方是个类似向下的望远镜，这是为了方便内部的观测，望远镜的下面是一个对机器可以进行升高降低左右调节的转盘，在转盘的左边是机器臂，右边是控制系统的面板，这是张亿诚大致看到的。
“这是我们目前在实验室的曝光系统，虽然技术老旧了点，但是用于做试验还是很物廉价美的。”博士笑了笑说的张亿诚有点不好意思，还是资金紧张啊。然后博士接着说道“后面我们进行正式生产的设备将会是另外的非接触的曝光系统。眼前的这个接触式曝光系统原理很简单，就是用点光源产生的光经凹面镜的反射的发散光束，在经过透镜形成平行光束，然后照射到前方的与水平成45度角的反射镜上，，经过折射正好投射到水平工作台上的掩模上；由于掩模和晶圆表面的光刻胶层是紧密接触的，这样掩模上的图案正好曝光在了光刻胶层。这有一点很重要，掩模与光刻胶层的压力大小，通常我们的压力都是0.05~0.3ATM，而光源的波长也有很严格的要求，在0.4μM左右。”边说教授边把刚才完成涂光刻胶的晶圆一一的在机器里曝光。
在聚精会神操作的同时又说道“这种方法在实验室里还可以用用，生产中基本已经淘汰了，要想实现掩模和晶圆之间理想接触的制约因素太多，掩模本身不平坦、晶圆表面有轻微凹凸、掩模和晶圆之间有灰尘、掩模和晶圆每次接触产生的磨损使掩模可使用次数收到的限制，这些都会造成大规模工业生产的不确定的质量问题。至于非接触式的曝光在后面我们进行工业试生产的时候我在介绍给你。”博士把张亿诚说的是半懂不懂，张亿诚几乎感到自己听的是云里雾里的。
“经过对准的曝光后，那么芯片的轮廓基本就会成型了，但是这个时候我们还需要对曝光之后的晶圆进行显影、定影、坚膜等步骤的必要操作，使光刻胶膜上我们需要的区域保留下来，而不需要的区域将被溶解掉，这样就形成我们需要的版图图形。”迪尔博士一遍说一边做着这些工作。
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